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Infineon IRF7301TRPBF

Dual N-Channel 20V 0.05 Ohm 20 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
$ 1.52
Obsolete
Fiche technique
Page du fabricant

Prix et stock

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Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
RS (Formerly Allied Electronics)
IRF7301TRPBF
0
20
Bulk
USD
1,590
1,520
1,520
9h
Component Stockers USA
IRF7301TRPBF
28 455
USD
0,450
0,440
0,430
0,420
0,420
4d
Win Source
WS-IRF7301TRPBF
20
95
USD
0,625
0,417
0,417
21h
Worldway Electronics
IRF7301TRPBF
6 258
7
USD
0,200
0,196
0,189
0,185
20h
Aztech
IRF7301TRPBF
583
USD
16,290
16,290
16,290
16,290
16,290
14h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRF7301TRPBF.

Farnell

Datasheet9 pagesIl y a 21 ans

_legacy Avnet

SOS electronic

iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-10-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2022-10-15
LTD Date2023-04-15

Pièces détachées

InfineonIRF7307PBF
Dual N/P-Channel 20 V 0.05/0.09 Ohm 20/22 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Détails
InfineonIRF7307TRPBF
Dual N/P-Channel 20 V 0.07/0.14 Ohm 20/22 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Détails
InfineonIRF7301PBF
Transistor: 2xN-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; 0.05ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SO8
Détails
STMicroelectronicsSTS6NF20V
N-channel 20 V, 0.030 Ohm, 6 A, 2.7 V drive STripFET(TM) II Power MOSFET in SO-8 package
Détails
onsemiFDS8928A
Dual N & P-Channel 30 V 30 mOhm Power Field Effect Transistor-SOIC-8
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF7301TRPBF fournies par ses distributeurs.

Dual N-Channel 20V 0.05 Ohm 20 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Future Electronics
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC / Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.2A 8-Pin SOIC T/R
Win Source
Transistor MOSFET 2xN-Ch. 5,2A/20V SO8 IRF 7301 TRPBF
Rapid Electronics
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Abacus Technologies
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current, Id:5.2A; Package/Case:8-SOIC; Power Dissipation, Pd:2W; Drain Source On Resistance @ 2.7V:70mohm; Drain Source On Resistance @ 4.5V:50mohm ;RoHS Compliant: Yes
Newark
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Dual / Continuous Drain Current (Id) A = 5.7 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 50 / Gate-Source Voltage V = 12 / Fall Time ns = 51 / Rise Time ns = 42 / Turn-OFF Delay Time ns = 32 / Turn-ON Delay Time ns = 9 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2
Distrelec

Images

Infineon
RS
TME
element14 APAC
RS (Formerly Allied Electronics)
SOS electronic
International Rectifier
Micros
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRF 7301 TRPBF
  • IRF7301TRPBF.
  • IRF7301TRPBF..
  • SP001561974