Infineon IRF6100PBF
Obsolete
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Fiches techniques et documents
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-06-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF6100PBF fournies par ses distributeurs.
-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a 4-Lead FlipFET package
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
XSTR MOSFET P-CHAN 20V .065 OHM
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-20V; Continuous Drain Current, Id:-5.1A; On Resistance, Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Package/Case:4 Lead FlipFET ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, P, FLIPFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:5.1A; On State Resistance:65mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-1.2V; Case Style:FlipFET; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:35A; Power Dissipation Pd:2.2W; SMD Marking:IRF6100; Voltage, Vds Max:20V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historique des stocks
Aucune donnée disponible
Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.1 A
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Dual Supply Voltage-20 V
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.23 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.2 V
Number of Elements1
Power Dissipation2.2 W
Rds On Max65 mΩ
TerminationSMD/SMT
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité