Infineon IRF40B207
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-04-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2025-12-31
LTD Date2026-12-31
Pièces détachées
InfineonIPA041N04NGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 70A TO220-FP / N-Channel 40 V 70A (Tc) 35W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
InfineonIRL8114PBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTP160N3LL
N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF40B207 fournies par ses distributeurs.
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 40 V 4.5 mOhm 45 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
MOSFET, 40V, 95A, 4.5 mOhm, 45 nC Qg, TO-220AB, TUBE
Trans MOSFET N-CH 40V 95A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Brushed Motor drive applications | MOSFET N-CH 40V 95A TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 40V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 40V, 95A, TO-220AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 95A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0036ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. End-applications include cordless power and gardening tools, light electric vehicles and e-bikes demanding a high level of ruggedness and energy efficiency.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)95 A
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.11 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance4.5 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation83 W
Rds On Max4.5 mΩ
Resistance4.5 mΩ
Schedule B8541290080
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité