Infineon IRF3205SPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-11-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRF3205STRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 110A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
InfineonIRF3205STRRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 110A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
InfineonIRF1010NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 85A;D2Pak;PD 180W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTB200NF04T4
STB200NF04T4 N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 40 V, 3-Pin D2PAK
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF3205SPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 110A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
Single N-Channel 55 V 8 mOhm 146 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 200 W
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:110A; On Resistance, Rds(on):8mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2-PAK ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, 55V, 110A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:98A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:110A; Current Temperature:25°C; External Depth:15.49mm; External Length / Height:4.69mm; External Width:10.54mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:0.75°C/W; No. of Transistors:1; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:150W; Power Dissipation Pd:150W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.7W; Pulse Current Idm:390A; SMD Marking:IRF3205S; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating110 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Dual Supply Voltage55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.247 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance8 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation200 W
Rds On Max8 mΩ
Recovery Time104 ns
Resistance8 MΩ
Rise Time101 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width10.54 mm
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité