Infineon IRF240
$ 18.605
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Descriptions
Descriptions de Infineon IRF240 fournies par ses distributeurs.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Single N-Channel 200 V 125 W 60 nC Hexfet Transistor Through Hole - TO-3
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:18A; On Resistance Rds(On):0.18Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:200V; Threshold Voltage Vgs:4V; Msl:- Rohs Compliant: No
MOSFET, N, TO-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.18ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:200V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:125W; Transistor Case Style:TO-204AA; No. of Pins:2Pins; Operating Temperature Max:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (17-Dec-2015); Avalanche Single Pulse Energy Eas:450mJ; Current Iar:18A; Current Id Max:18A; Current Temperature:25°C; Fixing Centres:30mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Lead Spacing:11mm; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pulse Current Idm:72A; Repetitive Avalanche Energy Max:12.5mJ; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Weight:0.012kg
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-3
MountThrough Hole
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance210 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance200 mΩ
Power Dissipation125 W
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time58 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height7.74 mm
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Déclarations de conformité