Infineon IR2117PBF

600 V single high-side gate driver IC with single input, SOIC 8N, RoHS
$ 1.475
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IHS

Datasheet18 pagesIl y a 21 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRS2128PBF
Tube IRS2128PBF High-Side 1996 gate driver 80ns 40ns -40C~150C TJ 290mA 600mA 0.8V 2.5V
MicrochipTC4429CPA
Tube TC4429 Low-Side 1996 gate driver 60ns 0C~150C TJ 6A 6A 730mW
MicrochipTC4420CPA
MOSFET Driver Low Side - 4.5V-18V supply - 6A peak out - 2.1 Ohm output - PDIP - 8 Pin.
onsemiFAN73832N
MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP W Tube
Analog DevicesMAX4420EPA+
ROHS3Compliant Active Matte Tin (Sn) e3 IC Gate Driver 9.91mm 0.8V 2.4V 727mW 6A 6A
Analog DevicesMAX4429CPA
High-Speed, 6A Single MOSFET Drivers | IC DRIVER MOSFET SNGL 6A HS 8DIP

Descriptions

Descriptions de Infineon IR2117PBF fournies par ses distributeurs.

600 V single high-side gate driver IC with single input, SOIC 8N, RoHS
MOSFET Driver 600 Volt 0.5A 1 Output Hi/Lo Side Non Input Volt 8-Pin PDIP
IR2117 Series 20 V 250 mA Through Hole Single High Or Low Side Driver - PDIP-8
SINGLE HIGH SIDE DRIVER, NONINVERTING INPUT IN A 8-PIN DIP PACKAGE
Power IC, High Side And Low Side, 10V-20V Supply, 500mA Out, 105ns Delay, DIP-8
80ns 1 10V 20V 6V,9.5V Non-Inverting IGBT,MOSFET,N 40ns 250mA,500mA PDIP-8
Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 0.5A, CMOS, PDIP8
EiceDRIVER™ 600 V high side Gate Driver IC with typical 0.25 A source and 0.5 A sink currents in 8 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead SOIC.
Bridge Driver IC Operating temperature: -40...+125 °C Output voltage: 10...20 V Power supply: 10...25 V Input: logic input Package: DIL-8 Sink output current: 0.42 A Source output current: 0.2 A
MOSFET Driver IC; Device Type:High-Side; Supply Voltage Min:10V; Supply Voltage Max:25V; Package/Case:8-DIP; No. of Pins:8; Operating Temperature Range:-40°C to +125°C; Fall Time, tf:40ns; High Side MOSFET Drive Type:Bootstrapped ;RoHS Compliant: Yes
IC, DRIVER, MOSFET/IGBT, 2117, DIP8; Device Type:Power; Module Configuration:High Side; Peak Output Current:500mA; Input Delay:125ns; Output Delay:105ns; Supply Voltage Range:10V to 20V; Driver Case Style:DIP; No. of Pins:8; Operating Temperature Range:-40°C to +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Number:2117; IC Generic Number:2117; Logic Function Number:2117; Logic IC Function:High Side; No. of Outputs:1; Offset Voltage:600V; Operating Temperature Max:125°C; Operating Temperature Min:-40°C; Output Current:250mA; Output Sink Current Min:420mA; Output Source Current Min:200mA; Output Voltage:620V; Output Voltage Max:20V; Output Voltage Min:10V; Package / Case:DIP; Power Dissipation Pd:1W; Supply Voltage Max:20V; Supply Voltage Min:10V; Termination Type:Through Hole; Turn Off Time:105ns; Turn On Time:125ns; Voltage Vcc Max:25V; Voltage Vcc Min:10V

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IR2117 PBF
  • IR2117PBF.
  • IRFIR2117PBF
  • SP001539138