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Infineon IPN50R1K4CEATMA1

INFINEON IPN50R1K4CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 4.8 A, 500 V, 1.26 ohm, 13 V, 3 VNew
$ 0.217
Production
Fiche technique
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Prix et stock

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Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Newark
2
IPN50R1K4CEATMA1
2 824
5
Cut Tape
USD
0,526
0,340
0,255
0,255
Arrow Electronics
2
IPN50R1K4CEATMA1
1 350
1
USD
0,173
0,163
0,152
0,136
0,136
Rutronik
TMOS1937
9 000
3K
USD
0,160
15h
Rochester Electronics
IPN50R1K4CEATMA1
3 031
USD
0,177
0,147
0,131
7h
DigiKey
3
IPN50R1K4CEATMA1CT-ND
7 722
1
Cut Tape
USD
0,960
0,597
0,385
0,264
0,198

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet13 pagesIl y a 0 an

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-06-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Pièces détachées

InfineonIPN50R2K0CEATMA1
INFINEON IPN50R2K0CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 3.6 A, 500 V, 1.8 ohm, 13 V, 3 VNew
Détails
InfineonIPN65R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223 / N-Channel 650 V 5.2A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Détails
InfineonIPN60R1K5CEATMA1
INFINEON IPN60R1K5CEATMA1 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 600 V, 1.35 ohm, 10 V, 3 VNew
Détails
STMicroelectronicsSTN1NK60Z
N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in SOT-223 package
Détails
STMicroelectronicsSTN3N40K3
N-channel 400 V, 3 Ohm, 1.8 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in SOT-223 package
Détails
onsemiFQT1N60CTF-WS
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 0.2 A, 11.5 Ω, SOT-223
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPN50R1K4CEATMA1 fournies par ses distributeurs.

INFINEON IPN50R1K4CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 4.8 A, 500 V, 1.26 ohm, 13 V, 3 VNew
Fly-Wing Technology
Infineon NMOS CoolMOS CE, Vds=550 V, 4.8 A, SOT-223, , 3
UnikeyIC
Cost-effective drop-in replacement for DPAK, PG-SOT223-4-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
Mosfet, N-Ch, 500V, 4.8A, Sot-223-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.8A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(On):1.26Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:13V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPN50R1K4CEATMA1
Newark
Infineon is growing the portfolio of CoolMOS™ CE with the SOT-223 package as a cost effective alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. The package can be placed on a typical DPAK footprint and comes with only a small compromise in thermal behavior. The SOT-223 from Infineon targets LED lighting and mobile charger applications.
Infineon

Images

RS APAC
Farnell
Farnell

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPN50R1K4CE
  • SP001460674