Infineon IPB123N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
$ 0.684
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIPB123N10N3GATMA124
1h
AvnetIPB123N10N3GATMA101K
2d
Farnell
3
IPB123N10N3GATMA101Cut Tape
1d
Microchip USAIPB123N10N3GATMA12 357600
3d
Win Source
2
WS-IPB123N10N3GATMA16 37022
3h

Fiches techniques et documents

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IHS

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Newark

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-07-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-09-30
LTD Date2026-03-31

Pièces détachées

InfineonIPB042N03LGATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
Rochester ElectronicsIPB097N08N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
InfineonIPB052N04N G
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Détails
onsemiFDB8445
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40V, 70A, 9mΩ
Détails
onsemiFDB8447L
Trans MOSFET N-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
onsemiFDB8880
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB123N10N3GATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Verical
IPB123N10N3 Series 100 V 12.3 mOhm 58 A Optimos Power Transistor - TO-263-3
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 100V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, N CH, 100V, 58A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 58A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0107oh; Available until stocks are exhausted Alternative available
Farnell
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon

Images

TME
element14 APAC
TME
RS
element14 APAC
Future Electronics
UTSource
Rochester Electronics
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPB123N10N3 G
  • IPB123N10N3G
  • SP000485968