Infineon FZ800R12KE3HOSA1

Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 3550000mW 4-Pin 62MM Tray
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
AvnetFZ800R12KE3HOSA1010
2d
FarnellFZ800R12KE3HOSA101
5h
Microchip USAFZ800R12KE3HOSA133120Tray
3d
ATI ACCURATE TECHNOLOGYFZ800R12KE3-INFINEON4
7h
Win SourceWS-FZ800R12KE3701
7h

Fiches techniques et documents

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Infineon

Datasheet1 pageIl y a 14 ans

IHS

Newark

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-08-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonBSM400GA170DLC
Insulated Gate Bipolar Transistor, 800A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel
Détails
InfineonFF450R12KT4HOSA1
IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 580 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Module
Détails
InfineonFZ600R12KE3HOSA1
62 mm 1200 V, 600 A single switch IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT3 and Emitter Controlled 3 Diode.
Détails
MicrochipAPTGT600SK60G
APTGT600x Series 600 V 700 A Trench + Field Stop IGBT Power Module - SP6
Détails
MicrochipAPTGT400DU120G
Trans IGBT Module N-CH 1200V 560A 1785000mW 7-Pin Case SP-6 Tube
Détails
MicrochipAPTGT600A60G
APTGT600x Series 600 V 700 A Trench + Field Stop IGBT® Power Module - SP6
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon FZ800R12KE3HOSA1 fournies par ses distributeurs.

Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 3550000mW 4-Pin 62MM Tray
Verical
62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode
Win Source
1200 V, 800 A single switch IGBT module, AG-62MM-2, RoHS
Infineon SCT
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
IHS
Transistor, Igbt Module, 1.2Kv, 800A; Transistor Polarity:N Channel; Dc Collector Current:800A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.7V; Power Dissipation Pd:3.55Kw; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:1.2Kv; Transistor Caserohs Compliant: Yes |Infineon FZ800R12KE3HOSA1
Newark
Our well-known 62 mm 1200V single switch IGBT modules with IGBT3 are the right choice for your design. | Summary of Features: Low Switching Losses; Unbeatable Robustness; V CEsat with positive Temperature Coefficient; Low V CEsat; 4 kV AC 1 min Insulation; Package with CTI > 400; High Creepage and Clearance Distances; High Power Density; Isolated Base Plate; Standard Housing | Benefits: Flexibility; Optimal electrical performance; Highest reliability | Target Applications: drives; solar; cav; ups; induction-heating; welding
Infineon

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Infineon
TodayComponents

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FZ800R12KE3
  • SP000100782