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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2006-10-05
LTD Date2007-04-05
Pièces détachées
InfineonIRLML2402GTRPBF
MOSFET, 20V, 1.2A, 250 MOHM, 2.6 NC QG, LOGIC LEVEL, SOT-23, HALOGEN-FREE
InfineonIRLML2402TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.25Ohm;ID 1.2A;Micro3;PD 540mW;VGS +/-12V
Descriptions
Descriptions de onsemi NDS356P fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET P-CH 20V 1.1A 3-Pin SOT
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3
Not available to order DISC BY MFG 7/02
MOSFET, P SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Current, Id Cont:1.1A; Resistance, Rds On:0.3ohm; Case Style:SOT-23 (TO-236); Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:10A; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; No. of Pins:3; Power Dissipation:0.5W; Power, Pd:0.5W; SMD Marking:356; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:20V; Voltage, Vgs th Max:-2.5V; Width, External:3.05mm; Width, Tape:8mm
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.1 A
Current Rating-1.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance210 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance180 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation500 mW
Rds On Max210 mΩ
Rise Time17 ns
Turn-Off Delay Time56 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité