onsemi FDP15N65
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2009-12-04
LTD Date2010-06-04
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP15N80K5
N-channel 800 V, 0.3 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP15NK50Z
N-Channel 500 V 340 mOhm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220
STMicroelectronicsSTP18N65M2
N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Descriptions
Descriptions de onsemi FDP15N65 fournies par ses distributeurs.
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 650V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs SINGLE, N-CH 500V .38OHM SMPS PWR
250W(Tc) 30V 5V@ 250µA 63nC@ 10V 1individualNChannel 650V 440mΩ@ 7.5A,10V 15A 3.095nF@25V TO-220-3 Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.3mm
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance440 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.095 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max440 mΩ
Rise Time125 ns
Turn-Off Delay Time105 ns
Fiches techniques et documents
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