EPC EPC2012C
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
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Pièces détachées
InfineonIRFH5020TRPBF
Single N-Channel 200 V 55 mOhm 36 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
InfineonIRF7451TRPBF
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.09ohm, Id=3.6A) | MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC
Descriptions
Descriptions de EPC EPC2012C fournies par ses distributeurs.
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
Alias du fabricant
EPC possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. EPC peut également être connu sous les noms suivants :
- EPC Space LLC
- EPC Space
- EPC (VA)
- EFFICIENT POWER CONVERSION
- EPC Semiconductor
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Input Capacitance140 pF
Max Operating Temperature150 °C
Min Operating Temperature-40 °C
Rds On Max100 mΩ