Diodes Inc. ZXTP2008ZTA
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-06-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.FCX1149ATA
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHM2SB1132T100R
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHM2SB1132T100Q
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. ZXTP2008ZTA fournies par ses distributeurs.
ZXTP2008Z Series 30 V 5.5 A PNP Low Saturation Medium Power Transistor - SOT-89
Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Power Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
30V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR VCEO=30V VEBO=7V IC=5.5A
Trans, Pnp, 30V, 5.5A, 150Deg C, 2.1W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXTP2008ZTA
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage-175 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating-5.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency110 MHz
Gain Bandwidth Product110 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current5.5 A
Max Frequency110 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation2.1 W
Transition Frequency110 MHz
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.6 mm
Length4.6 mm
Width2.6 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité