Diodes Inc. ZXTN25100DZTA
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-02-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.DCX56-16-13
DCX56 Series NPN 1 W 80 V 1 A Surface Mount Epitaxial Transistor - SOT-89
Diodes Inc.FCX1053ATA
FCX1053A Series NPN 3 A 75 V Surface Mount Medium Power Transistor - SOT-89-3
ROHM2SD2195T100
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHM2SC4132T100Q
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHM2SD1898T100Q
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. ZXTN25100DZTA fournies par ses distributeurs.
TRANS NPN 100V 2.5A SOT89 / Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Small Signal Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
General Purpose Transistors NPN Ic=2.5A Vceo=100V hfe=300~900 P=2.4W SOT89-3
Trans, Npn, 100V, 2.5A, 150Deg C, 2.4W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXTN25100DZTA
345mV@ 250mA,2.5A NPN 4.46W 7V 50nA 180V 100V 2.5A SOT-89 1.6mm
100V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)180 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency175 MHz
Gain Bandwidth Product175 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current2.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation19.2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation4.46 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency175 MHz
Dimensions
Height1.6 mm
Length4.6 mm
Width2.6 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité