Diodes Inc. ZXMP4A57E6TA
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0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Diodes Inc. ZXMP4A57E6TA.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.DMP3098LDM-7
P-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-26-6
Diodes Inc.DMP3056LDM-7
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R / MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
Diodes Inc.DMN3051LDM-7
Mosfet, N-Ch, 30V, 4A, Sot-26 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3051LDM-7
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. ZXMP4A57E6TA fournies par ses distributeurs.
Single P-Channel 40 V 1.7 W 15.8 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23-6
Mosfet, P-Ch, 40V, 2.9A, Sot-26 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMP4A57E6TA
Trans MOSFET P-CH 40V 3.7A 6-Pin SOT-26 T/R
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 40V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 40V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40 SOT26,3K
DiodesZetex PMOS, Vds=40 V, 3.7 A, SOT-26, , 6
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -11.98%
Modèles CAO
0 models available
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-26
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance833 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.1 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max80 mΩ
Resistance150 mΩ
Rise Time3.3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time2.5 ns
Dimensions
Height1.3 mm
Length3.1 mm
Width1.7 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité