Diodes Inc. ZXMN6A11DN8TA
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-08-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. ZXMN6A11DN8TA fournies par ses distributeurs.
ZXMN6A11DN8 Series Dual N-Channel 60 V 0.12 Ohm Power MOSFET SMT - SOIC-8
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC T/R
MOSFET, DUAL, N, 60V, SO-8; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.2A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):180mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:2.1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:3.2A; No. of Transistors:2; Package / Case:SOIC; Pin Configuration:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1); Power Dissipation Pd:1.25W; Power Dissipation Pd:2.1W; Pulse Current Idm:13.7A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historique des stocks
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Modèles CAO
0 models available
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.1 A
Current Rating2.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance140 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time4.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance330 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max120 mΩ
Resistance120 mΩ
Rise Time3.5 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time8.2 ns
Turn-On Delay Time1.95 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité