Diodes Inc. DMN63D8LW-13
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-10-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.DMN62D0UW-13
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.34A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonBSS138WH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 60V, 0.28A, Sot-323 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSS138WH6327XTSA1
Diodes Inc.BSS138W-7-F
Transistor MOSFET N Channel 50 Volt 0.2 Amp 3 Pin SOT-323 Tape And Reel
InfineonBSS214NWH6327XTSA1
On a Reel of 250, N-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V, 3-Pin SOT-323 Infineon BSS214NWH6327XTSA1
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMN63D8LW-13 fournies par ses distributeurs.
Mosfet, N-Ch, 30V, 0.38A, Sot-323 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN63D8LW-13
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Surface Mount
Single N-Channel 30 V 3.8 Ohm 0.4 nC 420 mW Silicon SMT Mosfet - SOT-323
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.38A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R 10K
Avnet Japan
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-323
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)380 mA
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance23.2 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation300 mW
Rds On Max2.8 Ω
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time11.4 ns
Turn-On Delay Time2.3 ns
Dimensions
Height1.1 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant