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Diodes Inc. DMN3135LVT-7

Mosfet Bvdss: 25V~30V Tsot26 T&r 3K Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3135LVT-7
$ 0.227
Production
Fiche technique
Page du fabricant

Prix et stock

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Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Newark
2
DMN3135LVT-7
432
5
Cut Tape
USD
0,462
0,299
0,227
0,227
Arrow Electronics
2
DMN3135LVT-7
39
39
USD
0,197
0,197
0,197
Verical
DMN3135LVT-7
3 000
3K
USD
0,195
DigiKey
3
DMN3135LVT-7DICT-ND
14 602
1
Cut Tape
USD
0,830
0,515
0,332
0,228
0,228
TME
2
DMN3135LVT-7
0
1
USD
0,690
0,471
0,291
0,188
0,135
17h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Diodes Inc. DMN3135LVT-7.

IHS

Datasheet6 pagesIl y a 14 ans

Diodes Inc SCT

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Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Pièces détachées

onsemiFDC654P
P-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, -30V, -3.6A, 75mΩ
Détails
onsemiFDC658P
ON SEMICONDUCTOR - FDC658P - MOSFET Transistor, P Channel, 4 A, 30 V, 0.041 ohm, 10 V, 1.7 V
Détails
Diodes Inc.DMP3050LVT-7
DMP3050LVT: 30 V 50 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26
Détails
Diodes Inc.DMG6602SVT-7
N & P Channel 30 V 60 mOhm Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet-TSOT-23-6
Détails
onsemiFDC658AP
Transistor MOSFET Positive Channel 30 Volt 4A 6-Pin SuperSOT T/R
Détails
STMicroelectronicsSTT4P3LLH6
P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 4 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT23-6L package
Détails

Descriptions

Descriptions de Diodes Inc. DMN3135LVT-7 fournies par ses distributeurs.

Mosfet Bvdss: 25V~30V Tsot26 T&r 3K Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3135LVT-7
Newark
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 4.3A 6-Pin TSOT-26 T/R
Avnet Japan
Single N-Channel 30 V 100 mOhm 4.1 nC 1.27 W Silicon SMT Mosfet - TSOT-26
Future Electronics
30 V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 3.5A, TSOT26; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.5A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vg
Farnell

Images

Farnell
Future Electronics
TME

Alias du fabricant

Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • DMN3135LVT7