Vishay SUP40012EL-GE3
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-11-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descripciones
Descripciones de Vishay SUP40012EL-GE3 suministradas por sus distribuidores.
Transistor MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin TO-220AB T/R
Avnet Japan
Single N-Channel 40 V 1.79 mOhm Through Hole TrenchFET® Power Mosfet - TO-220
Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 40V, 0.00179ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 150A, 40V, To-220Ab; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:150A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(On):0.00149Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Vishay SUP40012EL-GE3
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -11.35%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)150 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.79 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height19.31 mm