Vishay SUM70101EL-GE3
$ 2.117
Production
Precio y existencias
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Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +55.63%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-03-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descripciones
Descripciones de Vishay SUM70101EL-GE3 suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 120 A, 0.0101 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0101ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, P-CH, 100V, 120A, TO-263; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:120A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.5V RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +55.63%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance10.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation375 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Fichas técnicas y documentos
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