Vishay SQM40N10-30_GE3
$ 1.12
Obsolete
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SQM40N10-30-GE3 | 0 | 800 | 4d | ||||||||
| Farnell | SQM40N10-30_GE3 | 1311 | 1 | Cut Tape | 1d | |||||||
| element14 APAC | SQM40N10-30_GE3 | 1311 | 1 | Cut Tape | 14h | |||||||
| Mouser | 781-SQM40N10-30_GE3 | 1831 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Microchip USA | SQM40N10-30_GE3 | 354 | 300 | 17h |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.63%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-12-20
LTD Date2025-06-20
Componentes relacionados
VishaySQM47N10-24L-GE3
SQM47N10-24L-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 47 A, 100 V, 2+TAB-PIN TO-263
InfineonIPB35N10S3L26ATMA1
100V, N-Ch, 26.3 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO263-3, RoHS
Descripciones
Descripciones de Vishay SQM40N10-30_GE3 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
107W(Tc) 20V 3.5V@ 250¦ÌA 62nC@ 10 V 1N 100V 30m¦¸@ 15A,10V 40A 3.345nF@25V TO-263
Mosfet,N Channel,W Diode,100V,40A,To-263
Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET,N CH,W DIODE,100V,40A,TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V;
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.63%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Resistance30 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.345 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation107 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation107 W
Rds On Max30 mΩ
Rise Time5 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento