Vishay SQ2364EES-T1_GE3
$ 0.311
Production
Precio y existencias
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Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -39.93%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2020-06-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descripciones
Descripciones de Vishay SQ2364EES-T1_GE3 suministradas por sus distribuidores.
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 / N-Channel 60 V 2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
VISHAY - SQ2364EES-T1_GE3 - Tranzystor MOSFET, Kanal N, 2 A, 60 V, 0.19 ohm, 4.5 V, 600 mV
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2 A, 0.19 ohm, SOT-23, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 60V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
N-Channel 60-V (D-S) 175C Mosfet Rohs Compliant: Yes |Vishay SQ2364EES-T1_GE3
Automotive N-Channel 60V RDSON 0.245 MOSFET SOT-23
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.245ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -39.93%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance245 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Fichas técnicas y documentos
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