Vishay SIR800DP-T1-GE3

20V, 50A, 2.3mohm, TrenchFET® power MOSFET, N-Channel, PowerPAK SO-8
$ 0.71
Production

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay SIR800DP-T1-GE3.

IHS

Datasheet13 páginasHace 11 años

element14 APAC

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-6.52%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Vishay SIR800DP-T1-GE3 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
Component Search Engine
SímboloFootprint
3DDescargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-03-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)

Componentes relacionados

Single N-Channel 20 V 3.5 mOhm 52 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
P-Channel 20 V 3.9 mO 183 nC Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
onsemiFDMS8560S
Trans MOSFET N-CH Si 25V 30A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN
Single N-Channel 25 V 1.8 mOhm 105 nC 83 W SMT Mosfet - PowerPAK SO-8
onsemiFDD3706
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 50A; 0.009ohm; 44W; -55+175 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
Prices include import duty and tax. MOSFET Transistor, N Channel, 46 A, 20 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1 V;

Descripciones

Descripciones de Vishay SIR800DP-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.

20V, 50A, 2.3mohm, TrenchFET® power MOSFET, N-Channel, PowerPAK SO-8
20V 50A 2.3m´Î@10V15A 5.2W 1.5V@250Ã×A N Channel PowerPAK SO-8 MOSFETs ROHS
Trans MOSFET N-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 35.4A I(D), 20V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
5.2W(Ta),69W(Tc) 12V 1.5V@ 250¦ÌA 133nC@ 10 V 1N 20V 2.3m¦¸@ 15A,10V 50A 5.125nF@10V 4.9mm*5.89mm*1.04mm
MOSFET,N CH,DIODE,20V,50A,PPAKSO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):1900µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:5.2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:35.4A; Power Dissipation Pd:5.2W; Voltage Vgs Max:12V

Alias de fabricantes

Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric