Vishay SIR472DP-T1-GE3
Obsolete
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
VishaySI4156DY-T1-GE3
Si4156DY Series N-Channel 30 V 0.006 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Descripciones
Descripciones de Vishay SIR472DP-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
SiR472DP Series N-Channel 30 V 0.012 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 15mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 20V; Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5V
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance820 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation29.8 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.9 W
Rds On Max12 mΩ
Resistance12 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento