Vishay SIR462DP-T1-GE3
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
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Descripciones
Descripciones de Vishay SIR462DP-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 30 V 0.0079 Ohm 41.7 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 30 A, 7.9 mOhm, PowerPAK SO, 8 Pins, Surface Mount
Transistor MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Avnet Japan
Mosfet Transistor, N Channel, 30 A, 30 V, 6.5 Mohm, 10 V, 3 V Rohs Compliant: Yes |Vishay SIR462DP-T1-GE3
MOSFET, N CH, 30V, 30A, POWERPAK SO; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:41.7W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; MSL:-
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)18.9 A
Drain to Source Resistance7.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.155 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation41.7 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation4.8 W
Rds On Max7.9 mΩ
Resistance7.9 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento