Vishay SIR440DP-T1-GE3
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-08-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
VishaySI4136DY-T1-GE3
Prices include import duty and tax. MOSFET Transistor, N Channel, 46 A, 20 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1 V;
InfineonIRFH4210DTRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH4210TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRF3704ZSPBF
20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Descripciones
Descripciones de Vishay SIR440DP-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 20 V 0.00155 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 150nC@ 10 V 1N 20V 1.55m¦¸@ 20A,10V 60A 6nF@10V SO
20V 60A 6.25W 1.55m´Î@10V20A 2.5V@250Ã×A N Channel PowerPAK SO-8 MOSFETs ROHS
Trans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 20V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET SIR440DP N 20V 60A~NH4210840
MOSFET 20V 60A 104W 1.55mohm @ 10V
N Channel Mosfet, 20V, 60A Powerpak, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:60A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:20V; Power Dissipation:6.25W Rohs Compliant: Yes |Vishay SIR440DP-T1-GE3.
MOSFET, N CH, 20V, 60A, POWERPAK SO; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.0012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:104W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; MSL:-
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)47 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation6.25 W
Rds On Max1.55 mΩ
Resistance1.55 mΩ
Rise Time29 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time81 ns
Turn-On Delay Time45 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento