Vishay SIHG22N65E-GE3
$ 3.205
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | SIHG22N65E-GE3 | 0 | 1 | 23h | ||||||||
| Avnet | SIHG22N65E-GE3 | 0 | 500 | 4d | ||||||||
| Future Electronics | SIHG22N65E-GE3 | 0 | 500 | Tube | ||||||||
| TTI Europe | SIHG22N65E-GE3 | 0 | 500 | Tube | 4h | |||||||
| Farnell | SIHG22N65E-GE3 | 0 | 1 | 1d |
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay SIHG22N65E-GE3.
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Descripciones
Descripciones de Vishay SIHG22N65E-GE3 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
E Series N Channel 700 V 0.18 O 110 nC Flange Mount Power MOSFET - TO-247AC
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 650V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
N-CHANNEL 650V
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance180 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)4 V
Input Capacitance2.415 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation227 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation227 W
Rds On Max180 mΩ
Rise Time33 ns
Turn-Off Delay Time73 ns
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay SIHG22N65E-GE3.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento