Vishay SIHG11N80E-GE3
$ 2.26
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TTI | SIHG11N80E-GE3 | 450 | 50 | Tube | 9h | |||||||
| TME | SIHG11N80E-GE3 | 0 | 1 | 5h | ||||||||
| Newark | SIHG11N80E-GE3 | 0 | 1 | |||||||||
| Avnet | SIHG11N80E-GE3 | 0 | 500 | 9h | ||||||||
| Arrow Electronics | SIHG11N80E-GE3 | 0 | 500 |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -14.29%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay SIHG11N80E-GE3.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-07-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descripciones
Descripciones de Vishay SIHG11N80E-GE3 suministradas por sus distribuidores.
Transistor MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin TO-247AC
Avnet Japan
MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
TO247 800V 8A N-CH MOSFET
N-CHANNEL 800V
Mosfet, N-Ch, 800V, 12A, 150Deg C, 179W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(On):0.38Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Vishay SIHG11N80E-GE3
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -14.29%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Resistance440 mΩ
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation179 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schedule B8541290080
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay SIHG11N80E-GE3.