Vishay SIHF6N65E-GE3
$ 1.323
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | SIHF6N65E-GE3 | 0 | 1 | 11h | ||||||||
| Newark | SIHF6N65E-GE3 | 0 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | SIHF6N65E-GE3 | 0 | 1K | Tube | ||||||||
| Avnet | SIHF6N65E-GE3 | 0 | 1K | 20h | ||||||||
| TTI Europe | SIHF6N65E-GE3 | 0 | 1K | Tube | 21h |
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VISHAY SIHF7N60E-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 600 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
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Single N-Channel 600 V 460 mOhm 28 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTF12N65M2
N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
Descripciones
Descripciones de Vishay SIHF6N65E-GE3 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
E Series N Channel 700 V 0.6 O 48 nC Flange Mount Power MOSFET - TO-220FP
31W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 48nC@ 10 V 1N 650V 600m¦¸@ 3A,10V 7A 820pF@100V TO-220 10.41mm*4.7mm*15.49mm
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 650V, 7A, TO-220FP;
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance820 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation31 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation31 W
Rds On Max600 mΩ
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento