Vishay SIHD7N60E-GE3

VISHAY SIHD7N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
$ 1.007
Production
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

Ver todas las estructuras de precios
DistributorSKUMinPkg
NewarkSIHD7N60E-GE333001
DigiKeySIHD7N60E-GE3-ND301Bulk
TTISIHD7N60E-GE3295050Tube
21h
TME
2
SIHD7N60E-GE301
8h
AvnetSIHD7N60E-GE303K
4d

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay SIHD7N60E-GE3.

Newark

Datasheet11 páginasHace 6 años
Datasheet10 páginasHace 10 años
Datasheet10 páginasHace 10 años
Datasheet9 páginasHace 11 años

Farnell

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-1.72%
Powered bySpectra logo

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Componentes relacionados

onsemiFCD600N60Z
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FAST, 600 V, 7.4 A, 600 mΩ, DPAK
Detalles
STMicroelectronicsSTD10NM65N
N-channel 650 V, 0.43 Ohm, 9 A, DPAK second generation MDmesh(TM) Power MOSFET
Detalles
STMicroelectronicsSTD11NM50N
N-channel 500 V, 0.40 Ohm typ., 8.5 A MDmesh II Power MOSFET in a DPAK package
Detalles
STMicroelectronicsSTD10N60M2
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Detalles
onsemiFCD620N60ZF
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 600 V, 7.3 A, 620 mΩ, DPAK
Detalles
onsemiFCD7N60TM
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 7 A, 600 mΩ, DPAK
Detalles

Descripciones

Descripciones de Vishay SIHD7N60E-GE3 suministradas por sus distribuidores.

VISHAY SIHD7N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
Fly-Wing Technology
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 609V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N-CH, 600V, 7A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:78W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Voltage Vgs Max:30V
Farnell

Imágenes

Vishay
Farnell
element14 APAC
Future Electronics

Alias de fabricantes

Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • SIHD7N60EGE3