Vishay SIA913ADJ-T1-GE3
$ 0.264
NRND
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SIA913ADJ-T1-GE3CT-ND | 13.134 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SIA913ADJ-T1-GE3 | 12.000 | 3K | Tape & Reel | 1d | |||||||
| TME | SIA913ADJ-T1-GE3 | 0 | 3K | 20h | ||||||||
| Newark | SIA913ADJ-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SIA913ADJ-T1-GE3 | 0 | 3K | 1d |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +45.42%
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de Vishay SIA913ADJ-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
1.9W 8V 1V@ 250¦ÌA 20nC@ 8V 2P 12V 61m¦¸@ 3.6A,4.5V 4.5A 590pF@6V SOT 2.05mm*2.05mm*750¦Ìm
DUAL P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
MOSFET 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTSSOP
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Weight28.009329 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-12 V
Drain to Source Resistance61 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Element ConfigurationDual
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance590 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation6.5 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Rds On Max61 mΩ
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height750 µm
Length2.05 mm
Width2.05 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento