Vishay SIA817EDJ-T1-GE3
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SIA817EDJ-T1-GE3 | 2877 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | SIA817EDJ-T1-GE3CT-ND | 7647 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SIA817EDJ-T1-GE3 | 6000 | 3K | Tape & Reel | 9h | |||||||
| TME | SIA817EDJ-T1-GE3 | 0 | 3K | 5h | ||||||||
| Future Electronics | SIA817EDJ-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Diodes Inc.DMN3065LW-7
Mosfet Bvdss: 25V~30V Sot323 T&r 3K Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3065LW-7
Diodes Inc.DMG3418L-7
Single N-Channel 30 V 150 mOhm 5.5 nC 1.4 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
VishaySIA929DJ-T1-GE3
Dual P-Channel 30 V 0.12 Ohm 10 nC 1.9 W Silicon SMT Mosfet - POWERPAK-SC-70-6L
Descripciones
Descripciones de Vishay SIA817EDJ-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
30V 4.5A 65m´Î@10V3A 6.5W 1.3V@250Ã×A P Channel PowerPAK SC-70-6 MOSFETs ROHS
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Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance600 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation6.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation6.5 W
Rds On Max65 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento