Vishay SIA400EDJ-T1-GE3
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Cadena de suministros
Country of OriginUSA
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
VishaySIA483DJ-T1-GE3
Single P-Channel 30 V 3.5 W 45 nC Silicon SMT Mosfet - POWERPAK-SC-70-6L
VishaySI7619DN-T1-GE3
Si7619DN Series P-Channel 30 V 0.021 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
Descripciones
Descripciones de Vishay SIA400EDJ-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 30 V 0.025 Ohm 17.4 nC 3.5 W Silicon Mosfet - POWERPAK-SC-70-6L
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 12 A, 0.019 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
N-Channel 30-V (D-S) Mosfet Rohs Compliant: No |Vishay SIA400EDJ-T1-GE3
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance19 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.265 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation19.2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max19 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height800 µm
Length2.05 mm
Width2.05 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento