Vishay SI7994DP-T1-GE3
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-04-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTS26N3LLH6
N-Channel 30 V 0.0044 Ohm SMT STripFET VI DeepGATE Mosfet SOIC-8
VishaySIRA12DP-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 4.3 mOhm TrenchFET Gen IV Power Mosfet - PowerPAK SOIC-8
InfineonIRF7832TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7832PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descripciones
Descripciones de Vishay SI7994DP-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
Si7994DP Series Dual N-Channel 30 V 56 mOhm SMT Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, PowerPAK SO-8, FULL REEL; Channel Type:Dual N Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:30V; Drain Source Voltage Vds P Channel:-; Continuous Drain Current Id N Channel:60A; No. of Pins:8Pins RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Resistance5.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation46 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max5.6 mΩ
Resistance56 MΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento