Vishay SI7844DP-T1-GE3
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay SI7844DP-T1-GE3.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-08-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-06-17
LTD Date2015-12-16
Descripciones
Descripciones de Vishay SI7844DP-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 6.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 30V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor; Continuous Drain Current, Id:10000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.03ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.4V; Power Dissipation, Pd:1.4W ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.4 A
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation1.4 W
Rds On Max22 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay SI7844DP-T1-GE3.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento