Vishay SI7820DN-T1-GE3
$ 0.978
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | SI7820DN-T1-GE3 | 3000 | 3K | |||||||||
| Verical | SI7820DN-T1-GE3 | 3000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | SI7820DN-T1-GE3CT-ND | 6225 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SI7820DN-T1-GE3 | 0 | 3K | 17h | ||||||||
| TTI | SI7820DN-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 21h |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -14.96%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Cadena de suministros
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-11-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de Vishay SI7820DN-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
1.5W(Ta) 20V 4V@ 250¦ÌA 18nC@ 10 V 1N 200V 240m¦¸@ 2.6A,10V 1.7A 1212 3.3mm*3.3mm*1.04mm
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N CH MOSFET, 200V, 2.6A, POWERPAK; Trans; N CH MOSFET, 200V, 2.6A, POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.6A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):250mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:6V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance240 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.8 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.5 W
Rds On Max240 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length3.05 mm
Width3.05 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento