Vishay SI7772DP-T1-GE3

VISHAY SI7772DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 35.6 A, 30 V, 0.0105 ohm, 10 V, 2.5 V
$ 0.368
Production

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay SI7772DP-T1-GE3.

Newark

Datasheet13 páginasHace 10 años
Datasheet13 páginasHace 10 años
Datasheet13 páginasHace 11 años
Datasheet9 páginasHace 12 años

Farnell

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
+0.00%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Vishay SI7772DP-T1-GE3 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
Ultra Librarian
SímboloFootprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Componentes relacionados

Single N-Channel 30 V 12.4 mOhm 5.4 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3 x 3 mm
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3mm X 3mm PQFN package
InfineonIRLR7807ZPBF
IRLR7807ZPBF N-channel MOSFET Transistor, 43 A, 30 V, 3-Pin DPAK
SI7114ADN-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 18 A, 30 V, 8-PIN POWERPAK 1212
onsemiFDMS7676
Single N-Channel 30 V 2.5 W 44 nC Silicon Surface Mount Mosfet - POWER 56-8
onsemiFDD8780
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 25V, 35A, 8.5mΩ

Descripciones

Descripciones de Vishay SI7772DP-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.

VISHAY SI7772DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 35.6 A, 30 V, 0.0105 ohm, 10 V, 2.5 V
Single N-Channel 30 V 13 mOhm SMT TrenchFET Gen III Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:35.6A; On Resistance Rds(On):0.0105Ohm; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V Rohs Compliant: Yes |Vishay SI7772DP-T1-GE3.
MOSFET,N CH,SC DIO,30V,35.6A,SO8PPAK; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):10500µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:3.9W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:12.9A; Power Dissipation Pd:3.9W; Voltage Vgs Max:20V

Alias de fabricantes

Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • SI7772DP-T1-GE3.