Vishay SI7317DN-T1-GE3
$ 0.777
Obsolete
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI7317DN-T1-GE3CT-ND | 474 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI7317DN-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 21h | |||||||
| TTI Asia | SI7317DN-T1-GE3 | Contacto | 22h | |||||||||
| Avnet | SI7317DN-T1-GE3 | 0 | 6K | 21h | ||||||||
| TTI Europe | SI7317DN-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 22h |
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-10-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
InfineonIRFL4315TRPBF
Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
InfineonIRF7451TRPBF
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.09ohm, Id=3.6A) | MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC
Descripciones
Descripciones de Vishay SI7317DN-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
MOSFET Devices; VISHAY; SI7317DN-T1-GE3; 150 V; 2.8 A; 30 V; 11 ns
Trans MOSFET P-CH Si 150V 1.1A 8-Pin PowerPAK EP
P-Ch PowerPAK 1212-8 Cu wire 150V 1200mohm @ 10V
MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8 / P-Channel 150 V 2.8A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
MOSFET -150V 1.2ohm@-10V -2.8A P-Ch T-FET
Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 150V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.1 A
Drain to Source Resistance1.3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance365 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation19.8 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max1.2 Ω
Resistance1.2 Ω
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento