Vishay SI7232DN-T1-GE3
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VishaySIA448DJ-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 20V, 12A, POWERPAK SC70-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuo
Diodes Inc.DMN2016UTS-13
20V 8.58A 14.5mΩ@4.5V,9.4A 880mW 1V@250uA 2 N-Channel TSSOP-8-3.0mm MOSFETs ROHS
Descripciones
Descripciones de Vishay SI7232DN-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
SI7232DN-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor; 24 A; 20V; 8-Pin PowerPAK 1212
Dual N-Channel 20 V 0.0164 Ohm 23 W Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:10A; On Resistance Rds(On):0.0135Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V Rohs Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -17.59%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance16.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.22 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation23 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2.6 W
Rds On Max16.4 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.17 mm
Length3.05 mm
Width3.05 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento