Vishay SI4900DY-T1-E3
$ 0.712
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI4900DY-T1-E3CT-ND | 195 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | SI4900DY-T1-E3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SI4900DY-T1-E3 | 0 | 2500 | 23h | ||||||||
| TTI Asia | SI4900DY-T1-E3 | Contacto | 19m | |||||||||
| Mouser | 781-SI4900DY-E3 | 29.676 | 1 | Tape & Reel |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -2.02%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 EE Concierge | SímboloFootprint | ||
 Ultra Librarian | SímboloFootprint | Descargar |
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-03-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-11-30
Descripciones
Descripciones de Vishay SI4900DY-T1-E3 suministradas por sus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
Dual N-Channel 60 V 0.058 Ohm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Transistor; Continuous Drain Current, Id:5300mA; Drain Source Voltage, Vds:60V; On Resistance, Rds(on):0.072ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -2.02%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC N
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186.993455 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance58 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationDual
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance665 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rds On Max58 mΩ
Resistance58 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento