Vishay SI3474DV-T1-GE3
$ 0.189
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +22.85%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay SI3474DV-T1-GE3.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Vishay SI3474DV-T1-GE3 desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 EE Concierge | SímboloFootprint |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-10-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
InfineonBSL606SNH6327XTSA1
2KW 20V 2.3V 4.1nC@ 5V 1N 60V 60m¦¸@ 10V 170mA 566pF@ 25V TSOP-6-6 , 3mm*1.5mm*1.1mm
VishaySI3993CDV-T1-GE3
SI3993CDV-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor; 2.3 A; 30 V; 6-Pin TSOP
InfineonIRFTS8342TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
Descripciones
Descripciones de Vishay SI3474DV-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
3.6W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 10.4nC@ 10 V 1N 100V 126m¦¸@ 2A,10V 3.8A 196pF@50V TSOP-6
Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 6-Pin TSOP T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA
MOSFET, N CH, 100V, 3.8A, TSOP-6; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.8A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.102ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: -; Pow
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +22.85%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTSOP
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance126 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance196 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.6 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max126 mΩ
Rise Time68 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay SI3474DV-T1-GE3.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento