Vishay SI3127DV-T1-GE3
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Production
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Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -100%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descripciones
Descripciones de Vishay SI3127DV-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
Si3127DV Series 60 V 3.5 A Surface Mount P-Channel Mosfet - TSOP-6
Trans MOSFET P-CH -60V -3.5A 6-Pin TSOP T/R
Avnet Japan
MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
场效应管, MOSFET, P沟道, 60V, 5.1A, 150度 C, 4.2W;
MOSFET, P-CH, 60V, 5.1A, 150DEG C, 4.2W;
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA
MOSFET, P-CH, 60V, 5.1A, TSOP; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:5.1A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Qualification:-RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -100%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance89 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento