Vishay IRFU9110PBF
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.21Ohm;ID 9.4A;I-Pak (TO-251AA);PD 48W
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MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.205Ohm;ID -13A;I-Pak (TO-251AA);PD 66W
Descripciones
Descripciones de Vishay IRFU9110PBF suministradas por sus distribuidores.
Single P-Channel 100 V 1.2 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)
NXP MC33901WEF CAN Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, NSOIC
Trans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
100V 3.1A 1.2¦¸@10V,1.9A 25W 4V@250¦ÌA P Channel TO-251(I-PAK) MOSFETs ROHS
MOSFET; TRANSISTOR POLARITY:P CHANNEL; C
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
MOSFET, P-CH, 100V, 3.1A, TO-251;
PCHAN, TO-251AA, 100V IRFU9110PBF
MOSFET, P, -100V, -3.1A, I-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:3.1A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2V; Pow
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance200 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max1.2 Ω
Resistance1.2 Ω
Rise Time27 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2 V
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height6.22 mm
Length6.73 mm
Width2.38 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento