Vishay IRFR1N60APBF
$ 0.527
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -3.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Vishay IRFR1N60APBF desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | SímboloFootprint | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-12-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTD1NK60T4
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
STMicroelectronicsSTD1HN60K3
N-channel 600 V, 6.4 Ohm typ., 1.2 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTD2HNK60Z
N-channel 600 V - 4.4 Ω - 2 A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH™2; Power MOSFET
onsemiFQD2N60CTF
Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descripciones
Descripciones de Vishay IRFR1N60APBF suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 600 V 7 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 600V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:1.4A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:36W; No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: No
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -3.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.4 A
Current18 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance7 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Dual Supply Voltage600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance229 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation36 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation36 W
Rds On Max7 Ω
Recovery Time440 ns
Resistance7 Ω
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time9.8 ns
Voltage650 V
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento