Vishay IRFI740GPBF
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Cadena de suministros
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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N-Channel 400 V 1 Ohm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220FP
Descripciones
Descripciones de Vishay IRFI740GPBF suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 400 V 0.55 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 400V, RDS(ON) 0.55OHM, ID 5.4A, TO-220 FULL-PAK, PD 40W
Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
400V 5.4A 550m´Î@10V3.2A 40W 4V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:400V; Continuous Drain Current Id:5.4A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:40W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: No |Vishay IRFI740GPBF.
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance550 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.37 nF
Isolation Voltage2500 Vrms
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation40 W
Rds On Max550 mΩ
Resistance550 mΩ
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time54 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height9.8 mm
Length10.63 mm
Width4.83 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento