Vishay IRF9Z24SPBF
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Componentes relacionados
VishayIRFZ14SPBF
3.7W(Ta),43W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 11nC@ 10 V 1N 60V 200m¦¸@ 6A,10V 10A 300pF@25V D2PAK
Descripciones
Descripciones de Vishay IRF9Z24SPBF suministradas por sus distribuidores.
Single P-Channel 60 V 0.28 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-263
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P, 60V, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):280mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:60W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:TO-262AB; Current Id Max:-11A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:60W; Power Dissipation Pd:60W; Pulse Current Idm:44A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-60V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance280 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance570 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max280 mΩ
Resistance280 mΩ
Rise Time68 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento