STMicroelectronics STY105NM50N
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-09-14
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 weeks ago)
LTB Date2027-02-19
LTD Date2027-08-19
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTY100NM60N
N-channel 600 V, 0.025 Ohm typ., 98 A, MDmesh(TM) II Power MOSFET in Max247 package
STMicroelectronicsSTWA88N65M5
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VishayIRFPS40N60KPBF
IRFPS40N60K Series N-Channel 600 V 130 mOhm 570 W Power Mosfet - Super-247
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STY105NM50N suministradas por sus distribuidores.
N-channel 500 V, 0.018 Ohm typ., 110 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in Max247 package
MOSFET N-Ch 500V 110A 22mΩ@52A,10V 9.6nF@100V 625W(Tc) 25V 4V@250µA 326nC@10V MAX-247-3 TH
MOSFET N-CH 500V 110A MAX247 / N-Channel 500 V 110A (Tc) 625W (Tc) Through Hole MAX247™
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 110 A, 0.019 ohm, MAX-247, Through Hole
MOSFET, N-CH, 500V, 110A, MAX-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 110A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.019ohm; Rds(on) Test Voltag; Available until stocks are exhausted
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins247
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance9.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation625 W
Rds On Max22 mΩ
Resistance22 MΩ
Rise Time88 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time353 ns
Turn-On Delay Time47 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant