STMicroelectronics STW70N60DM2
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Descripciones de STMicroelectronics STW70N60DM2 suministradas por sus distribuidores.
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Power MOSFETs, 600V, 66A, TO-247, Tube
STMicroelectronics SCT
Extremely high dv/dt ruggedness
Mosfet, N-Ch, 600V, 66A, 150Deg C, 446W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:66A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW70N60DM2
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)66 A
Drain to Source Resistance42 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance5.508 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation446 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max42 mΩ
Schedule B8541210080
Threshold Voltage4 V