STMicroelectronics STW69N65M5
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-09-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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N-channel 650 V, 0.033 Ohm, 69 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
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STMicroelectronicsSTW70N60M2
N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW69N65M5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.037 Ohm typ., 58 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STW69N65M5 N-channel MOSFET Transistor, 58 A, 710 V, 3-Pin TO-247
Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 650V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N CH, 650V, 58A, 0R037, TO-247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 58A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.037ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.09%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)58 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance6.42 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation330 W
Rds On Max45 mΩ
Resistance45 MΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time102 ns
Turn-On Delay Time102 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant