STMicroelectronics STW40NF20
$ 3.081
Obsolete
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Tendencia de 3 meses: -15.18%
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-01-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-07-18
LTD Date2024-01-18
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTW52NK25Z
N-channel 250 V, 0.033 Ohm typ., 52 A, Zener protected SuperMESH Power MOSFET in TO-247 package
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW40NF20 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 200 V 45 mOhm Flange Mount STripFET Power Mosfet - TO-247
N-channel 200V - 0.038Ohm -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N CH, 200V, 40A, TO 247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.038ohm; ; Available until stocks are exhausted Alternative available
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -15.18%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Current Rating40 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max45 mΩ
Rise Time44 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time74 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant